晶合集成取得发明专利授权：“嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备办法”

  证券之星音讯，依据天眼查APP多个方面数据显现晶合集成(688249)新取得一项发明专利授权，专利名为“嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备办法”，专利申请号为CN9.X，授权日为2025年8月19日。

  专利摘要：本发明揭露了一种嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备办法，归于半导体范畴，本发明首先在榜首半导体结构的层间介质层上制备榜首金属间电介质层；在榜首金属间电介质层内制备榜首金属线路和榜首电极板；持续制备榜首阻挡层；选用蚀刻工艺翻开榜首电极板一侧区域的榜首金属间电介质构成榜首凹槽；顺次堆积阻变资料和导电金属资料；平整化并停留在榜首阻挡层上，得到嵌入式存储结构。本发明经过全新的工艺次序制备了改动电极板方位的阻变存储单元，以此结构制备阻变存储器，使得阻变式阻变存储器全体紧凑，也能够兼容现存技能中MOS制程。经过仿真验证，本发明可靠性、可操作性强，具有较高的制造良率。

  今年以来晶合集成新取得专利授权244个，较去年同期增加了15.09%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研制方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

  经过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外出资了9家企业，参加招投标项目630次；产业线条；此外企业还具有行政许可21个。

  为证券之星据揭露信息收拾，由AI算法生成(网信算备240019号)，不构成出资主张。

  证券之星音讯，依据天眼查APP多个方面数据显现晶合集成(688249)新取得一项发明专利授权，专利名为“嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备办法”，专利申请号为CN9.X，授权日为2025年8月19日。

  专利摘要：本发明揭露了一种嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备办法，归于半导体范畴，本发明首先在榜首半导体结构的层间介质层上制备榜首金属间电介质层；在榜首金属间电介质层内制备榜首金属线路和榜首电极板；持续制备榜首阻挡层；选用蚀刻工艺翻开榜首电极板一侧区域的榜首金属间电介质构成榜首凹槽；顺次堆积阻变资料和导电金属资料；平整化并停留在榜首阻挡层上，得到嵌入式存储结构。本发明经过全新的工艺次序制备了改动电极板方位的阻变存储单元，以此结构制备阻变存储器，使得阻变式阻变存储器全体紧凑，也能够兼容现存技能中MOS制程。经过仿真验证，本发明可靠性、可操作性强，具有较高的制造良率。

  今年以来晶合集成新取得专利授权244个，较去年同期增加了15.09%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研制方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

  经过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外出资了9家企业，参加招投标项目630次；产业线条；此外企业还具有行政许可21个。

  为证券之星据揭露信息收拾，由AI算法生成(网信算备240019号)，不构成出资主张。